삼성전자가 이달 4~6일(이하 현지시간) 미국 캘리포니아주 산타클라라 컨벤션센터에서 열리는 ‘FMS 2026’에서 공개한 V10 BV-낸드 제품 이미지. 삼성전자 제공 삼성전자가 기존 고대역폭메모리(HBM) 대비 대폭 성능을 대폭 강화한 zHBM, 400단 이상의 V10 BV-낸드 제품을 업계 최초로 선보이며 차세대 메모리 경쟁력을 과시했다. 삼성전자는 이달 4~6일(이하 현지시간) 미국 캘리포니아주 산타클라라 컨벤션센터에서 열리는 ‘FMS 2026’에 참가해 차세대 3D 메모리 아키텍처인 zHBM과 z낸드-O의 목업(Mock-up)을 업계 최초로 공개한다고 5일 밝혔다. 목업은 제품의 형태와 기능을 시각적으로 확인하기 위해 만든 모형을 말한다. 삼성전자는 FMS 2026에서 약 20평의 규모의 최대 전시 공간을 마련하고, AI 클라우드 서버를 형상화한 전시 부스를 운영한다. 전시 공간은 하이라이트, 클라우드 인공지능(AI), 엣지AI 존으로 구성했으며 D램·낸드, 스토리지에 이르는 폭넓은 메모리 포트폴리오를 중심으로 약 30개 제품을 전시해 AI 메모리 핵심 기술과 고객 맞춤형 솔루션을 소개했다. 행사 첫날인 4일엔 이진엽 플래시개발실 부사장과 김경륜 D램개발실 상무가 기조연설을 진행했다. 온라인파칭코 두 연사는 zHBM, z낸드-O 등 차세대 3D 메모리를 기반으로 고성능 컴퓨팅(HPC)·AI 인프라 수요 증가에 대응하고, AI 시스템의 성능과 전력효율을 극대화하기 위한 기술 비전을 제시했다. 특히 기조연설에서 400단 이상의 V10 BV-낸드를 업계 최초로 공개하며, 차세대 낸드 기술 경쟁력을 선보였다. BV는 셀과 회로를 분리 제작한 후 수직으로 접합하는 기술을 의미한다. 삼성전자는 FMS 2026에서 업계 최초로 차세대 3D 메모리 아키텍처인 zHBM과 z낸드-O 목업을 공개하고, 미래 AI 시스템을 위한 새로운 메모리 기술 방향을 제시했다. 삼성전자는 HPC·AI 인프라의 확산으로 고용량·고대역폭 메모리에 대한 요구 수준이 높아지면서, 기존 HBM만으로는 요구되는 수준의 성능을 구현하는 데 한계가 있다고 설명했다. 이에 제시되는 대안으로 zHBM을 제시했다. zHBM은 기존에 AI 가속기(xPU) 옆에 HBM을 배치하는 방식에서 한 단계 더 나아가 AI 가속기 상단에 HBM을 수직으로 적층하는 차세대 아키텍처다. AI 가속기와 메모리 간 데이터 이동 거리를 최소화해 대역폭과 전력효율을 높이고, 대규모 AI 모델의 학습과 추론에 필요한 초고속 데이터 처리를 지원한다. 슬롯 zHBM이 적용된 차세대 인터페이스 시스템은 HBM5 대비 최대 8배 높은 성능을 제공한다. 또 짧아진 데이터 간 이동거리로 HBM5 대비 전성비를 최대 3배 향상시키고 열 저항을 절반 이상 낮춰 고용량·고대역폭 시스템의 안정성과 전력효율을 극대화한다고 회사는 설명했다. zHBM은 고객 맞춤형 설계가 가능한 3D 메모리 솔루션으로, 메모리와 AI 가속기 사이에 위치한 인터레이어에 맞춤형 IP를 추가해 메모리 용량 확장, 가속기 성능 강화 등 제품 특성을 최적화할 수 있다. 삼성전자는 고객과의 협업을 바탕으로 AI 프로세서와 메모리 간 최적화를 추진해 zHBM의 성능을 극대화할 계획이다. 삼성전자는 D램뿐 아니라 낸드에서도 3D 메모리 아키텍처 비전을 제시했다. 한 예로 z낸드-O는 삼성전자가 개발 중인 차세대 고성능 낸드 플래시 솔루션으로, 기존 V-낸드의 수직 적층 기술을 활용하고 TSV 기술을 결합해 4단 또는 8단 반도체 칩을 3D 패키징한 제품이다. 이 외에도 삼성전자는 이번 전시에서 HBM4E, HBM5, LPDDR5X-PIM, PM1763 등 고성능 컴퓨팅과 AI 데이터센터에 최적화된 차세대 메모리·스토리지 솔루션도 선보였다. 삼성전자 관계자는 “차세대 메모리 기술 혁신과 메모리, 파운드리, 첨단 패키징을 아우르는 차별화된 솔루션을 통해 AI시대의 반도체 기술 리더십을 지속 강화해 나갈 계획”이라고 밝혔다. 3배 향상시키고 열